近年,随着图像质量的提高,色粉直径也越来越小。在微孔孔径较大的发泡辊筒中,色粉进入辊筒的微孔内不易去除,所以存在图像混乱的问题。因此,对于使用微细色粉的高画质复印机和打印机用辊筒,特别是色粉供给辊,要求更细的微孔。在制造发泡辊筒时,与间歇式方法相比,连续硫化处理法的优点是能够使发泡微孔的直径更小。对橡胶组合物进行硫化处理的方法包括使用加压装置和硫化处理槽的间歇式或连续式硫化法。以往的导电辊使用了不会因其中的导电性填充剂的不均匀而导致电阻值不均匀的离子导电性橡胶,但是问题在于很难采用经济上及效率上都有利的连续硫化法进行制造。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。
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