压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
压电陶瓷与石英晶体不同,前者是人工制造的多晶体压电材料,而后者是单晶体。压电陶瓷在未进行极化处理时,不具有压电效应;经过极化处理后,它的压电效应非常明显,具有很高的压电系数,为石英晶体的几百倍。
压电陶瓷与石英晶体不同,前者是人工制造的多晶体压电材料,而后者是单晶体。压电陶瓷在未进行极化处理时,不具有压电效应;经过极化处理后,它的压电效应非常明显,具有很高的压电系数,为石英晶体的几百倍。如工业生产、科学实验、保证产品质量、提高生产效率、节约能源、促进科技的发展等方面起着重要作用。锆钛酸铅压电陶瓷简称 PZT陶瓷,是压电陶瓷材料中用得广的一种。PZT的机电耦合系数高,温度稳定性好,并且有较高的居里温度(一300℃)。用 Sr、ca、Mg等元素部分地取代 PZT中的 Pb,或者是通过添加Nb、La、Sb、Cr、Mn等元素来改性,可以制成许多不同用途的PZT型压电陶瓷,如 PZT一4、PZT一5、PZT-6、PZT一7和 PZT一8等。PZT陶瓷的出现,是压电陶瓷发展新的里程碑,其大大提高了压电陶瓷的性能并扩大了其应用范围。气体流量传感器物理量可分为位移、力、速度、温度、流量、气体成份等气体流量传感器2。除了 PZT之外,二元系压电陶瓷还有(Pb,Ba)NbO3、(Na,K)NbO3和(Na,Cd)NbO3等 ,都是 比较适用的压电材料。原文链接:http://www.qiudei.com/caigou/show-187355.html,转载和复制请保留此链接。
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