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电子器件损坏特性概述

一、电阻损坏特性

电阻器是数量的电子设备，但并非损坏率高的元件。电阻性损伤以开路为常见，阻值变大是罕见的，阻值变小也很少见。常用的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、保险电阻等。

头两种电阻应用，破坏特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)损坏率较高，中间阻值(如几百欧至几十千欧)损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很容易发现。

线绕电阻通常用于大电流限制，但阻值不大。圆筒形线绕电阻烧坏后有些会发黑或表面爆皮、裂纹，有些无痕。水阻是线绕电阻的一种，烧坏后可能会断裂，否则没有任何可见痕迹。保险丝电阻烧坏的时候有些表面会炸掉一块皮，有些也没有任何痕迹，但不会变黑。基于上述特点，在检测电阻时可着重于快速找到损坏电阻。

二、电解电容损坏特点

电容器在电气设备中的用量很大，故障率很高。电解质损坏主要表现为：

一是容量完全损失或容量减少；

二为轻度或严重漏电；

三是容量损失或容量变小兼有漏电。

三、二极管，三极管等半导体器件损坏特性

三极管的损坏一般为 PN结击穿或开路，其中以击穿短路为主。另外，还存在两种损坏表现：

，热稳定性变差，表现为通电时正常，一段时间后发生软击穿；

二是 PN结的性质变差，用万用表 R×1 k测得，所有 PN结都正常，但是上机后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程档测， PN结正向阻值比正常值大。

四、集成电路损害特征

IC内部结构复杂，有很多功能，其中任何一部分损坏不能正常工作。IC有两种损坏：完全损坏，热稳定性差。当一个电路完全损坏时，可以拆开它，和一般同型号的集成电路比较，测其每个针对地的正反两个电阻，总能发现一个或几个管脚阻值异常。对于热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却集成电路，如果故障出现延迟或不再发生故障，就可以判定。一般只能更换新集成电路来排除。

电子器件检测行业市场前景预测

当前，电子元器件检测行业已经形成了一个比较成熟、的工作体系，为我国科技领域提供有效的技术支持。据统计，今年电子电器类检验检测机构年度收入约180亿元，同比增长31.20%，远高于传统行业增速。随着电子产品生命周期的缩短，检测频率和产品种类的双重提升，这一领域的市场规模有望持续保持较高的增长速度。

在我国高新技术制造业中，电子元器件检测行业越来越深入，集成电路检测已经成为电子元器件检测的重要组成部分，集成电路检测这个细分行业属于 IC设计、制造相关行业与电子元器件检测行业的交叉领域。经过检测的 IC产品已在各领域得到大规模应用，并已广泛应用于我国航天、电子、等诸多下游领域。IC设计企业作为电子元器件检测的直接客户， IC设计市场的不断扩大，集成电路市场的扩大，为电子元器件检测行业提供了比较广阔的商机。

数字集成的家庭线路

逻辑族是一组电子逻辑门，每个系列都有其的分立逻辑门、独立组件、电源、特性、优点和缺点。特定系列内的电压范围可以证明是高电平或低电平。一些家庭包括以下内容。

DL 或二极管逻辑

二极管和寄存器实现逻辑。除了逻辑开关之外，二极管还有助于执行“AND”和“OR”运算。确保二极管具有用于传导的正向偏压始终变得至关重要。虽然有益，但除了无法在许多状态下运行之外，它无法执行“NOT”功能。它还倾向于快速降低信号。

RTL 或电阻-晶体管逻辑

在这种情况下，晶体管和寄存器可以很好地实现逻辑。晶体管将反相信号与放大输入相结合。RTL 设计简单且经济，但速度较慢。此外，RTL 需要大量电流，它们可用作数字电路和线性电路之间的接口。

DTL 或二极管晶体管逻辑

二极管和寄存器用于实现逻辑。DTL 比 RTL 和 DL 有优势。它的二极管除了具有晶体管和放大输出信号的能力外，还可以执行“或”和“与”操作。DTL 中存在的逻辑反转允许信号恢复到完整的逻辑电平，主要是在逻辑门的输出端加入晶体管。“或”功能由二极管而不是电阻器执行，它消除了输入信号之间的相互作用。

TTL 或晶体管-晶体管逻辑

除了双极晶体管之外，TTL 还实现了集成电路中的逻辑。它以标准、高速、低功耗或肖特基 TTL 的形式出现。然而，家庭代表了电子行业人们的流行选择。

ECL 或发射极耦合逻辑

该逻辑是非结构化的，具有高速和低传播延迟的优点。

CMOS 或互补金属氧化物半导体逻辑

由于其低功耗和高扇出，它是大多数人的流行逻辑选项。因此，它代表了逻辑系列中可靠的。

谈论热门的太赫兹芯片

在太赫兹芯片相关的基础设施方面，与太赫兹技术相关的芯片通常采用成熟的工艺，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工艺(大部分采用65 nm工艺)，这是因为先进工艺的器件特性对于太赫兹技术来说并不是很大。他说：“我们预计，未来太赫兹芯片的芯片工艺将逐渐向28 nm转移，但不能使用16 nm以下。其结果是，中国的太赫兹芯片不受半导体工艺的限制。

但在半导体工艺之外，中国在太赫兹芯片领域的基础设施在 EDA领域落后。目前太赫兹 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做无源器件(以及波导)模拟，同时将电路级有源器件的常用模拟 Cadence的 SpectreRF集成起来。这方面，中国的 EDA技术与世界水平相比还有不少差距。

在太赫兹芯片设计领域，中科院上海微系统所、中电38所、50所等科研机构都有相关投入。另外，在太赫兹芯片商用化领域，一些中国的创业公司也正在努力。举例来说，以太赫兹安检成像技术为主导的新公司微度芯创公司，已有80 GHz雷达芯片量产，160 GHz雷达芯片已完成验证，240 GHz雷达芯片正在设计中，预计在未来几年内其产品将会进入下一代基于太赫兹成像的高通量安检产品，值得我们期待。当太赫兹技术进一步成熟时，我们相信中国的相关芯片领域也会越来越多。这个领域并非完全陌生，很多设计技巧和毫米波电路和系统都可以说是一脉相承的，除此之外，中国还有很大的安全检测市场，所以我们认为中国在未来太赫兹芯片设计领域将会世界的潮流。