LEEG立格仪表SMP858-NST单晶硅双法兰差压变送器
LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器,单晶硅压力传感器位于金属本体顶,远离介质接触面,实现械隔离和隔离,玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘,提高了电子线路的灵活能与耐瞬变电压护的能力,可应对复杂的化学场合和械负荷,同时具备较强的抗电磁能力,适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。
主要参数
压力类型:差压
量程范围:10kPa-1MPa
输出号:4-20mA,4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485
参考精度:±0.2量程上限,可选±0.5量程上限
认:CE,EXPSI,CSA,IECEx,ATEX,RoHS
技术参数
标称量程:40kPa,250kPa,1MPa
典型精度:±0.2量程上限
年稳定:±0.2SPAN/5年
零点影响:±0.2TD量程上限/4MPa
满量程影响:±0.2量程上限/4MPa
电源影响:当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化,其零点和量程的变化应不超过±0.005量程上限/V
装位置影响:任意位置装,大不超过400Pa可通过零功能校正
振动影响:按GB/T1827.3/IEC61298-3测试,<0.1量程上限
总阻尼时间常数:等于电子线路件和传感膜盒阻尼时间常数之和
电子线路件阻尼时间:0-100S范围可调
传感膜盒(隔离传感膜片和硅油填充液)阻尼时间:≤0.2S
断电后上电启动时间:≤6S
数据恢复至正常使用时间:≤31S
净重:约2.9kg
使用环境温度范围:-40-85℃,一体化LCD显示:-20-70℃
储存环境温度范围:-40-110℃,一体化LCD显示:-40-85℃
使用环境温度范围:5-100RH@40℃
护等级:IP67
NEPSI:ExdII-6Gb(GYB16.1265X)/ ExiaII-4Ga(GBY16.1953X)
标准型/隔型:10.5-55VDC
HART通讯协议:16.5-55VDC,通讯时负载电阻250Ω
RS485:12-32VDC
负载电阻:0-2119Ω为工作状态,250-600Ω HART通讯
传输距离:<1000米
功耗:≤500mV@24VDC,20.8mA
密封方式:不锈钢焊接密封
输出方式:4-20mA二线制,适用供电电压10.5-55VDC
4-20mA+HART二线制,适用供电电压16.5-55VDC
Modbus-RTU/RS485,四线制适用供电电压5-32VDC
过程连接
连接位置:高、低压端连接
连接类型:毛细管远传
毛细管类型:铠装SUS304不锈钢,径3.5mm
隔离充灌液:常温硅油,适用直接接触温度范围- - 45 205℃
高温硅油,适用直接接触温度范围 - 0 315℃
卫生填充液NeobeeM-20,适用直接接触温度范围- 10-180℃
接液分材质:不锈钢SUS304S材质,不锈钢SUS316材质
隔离膜片材质:SUS316L不锈钢,哈氏合金C
法兰规格样式:HG/T 20592-2009,DN50PN10凸面法兰,HG/T 20592-2009,DN80PN10凸面法兰,
HG/T 20592-2009,DN100PN10凸面法兰
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