光探测器主要参数
◆ 光谱响应度
光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流与入射光功率之比。
光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱响应曲线(响应曲线)。
若将光谱响应曲线的大值做化处理，则得到相对光谱响应曲线。
◆ 等效噪声功率(NEP)
等效噪声功率是信噪比为1时探测器能探测到的辐射功率，即可探测功率。
◆ 探测率(D)/比探测率(D*)
探测率D是NEP的倒数，D越大，表明探测器的探测性能越好。
比探测率D*即是化的探测率，也叫探测灵敏度。其单位为：cm·Hz1/2·W-1.
◆ 时间常数
时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化额速率，τ=1/(2πf)。
光谱仪探测器多少钱
光谱仪探测器的价格因品牌、型号、性能等因素而异，价格范围从几千元到几十万元不等。一般来说，的光谱仪探测器价格较高，但其性能也更为，适用于各种科研和工业领域。而一些低端的光谱仪探测器价格较低，但其性能可能相对较差，适用于一些简单的应用场合。在购买光谱仪探测器时，需要根据实际需求和预算进行选择。
光电导探测器
光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。通常，凡禁带宽度合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等;在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。
光谱仪探测器
光探测器按照工作原理和结构，通常分为光电探测器和热电探测器，其中光电探测器包括真空光电器件（光电倍增管等）和固体光电探测器（光电二极管、光导探测器、CCD等）。● 光电倍增管（PHOTOMULTIPLIER TUBES，PMT） 光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度的光探测器件，同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极（光敏面）等特点。
典型的光电倍增管，在其真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大；放大后的电子被阳极收集作为信号输出（模拟信号输出）。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。