公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
场效应管与三极管的区别：
1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，在性能方面，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能；
2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的；
3.场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；
4.场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；
5.场效应管输入阻抗大；三极管输入阻抗小；
6.场效应管的频率特性不如三极管；
7.场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；
8.信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。