1、深紫外LED灯珠储存条件：温度10℃～26℃，湿度40%～65%，包装袋密封保留。
2、使用的全部进程一切与深紫外LED灯珠直接接触的人员都要做好避免和消除静电办法，切勿直接用手接触紫外发光二极管；
3、出产前查看机台设备接地线是否正常，工作台面要求铺好静电胶布，胶布之间应相互衔接并接地；
4、焊接时，要留意焊接时刻，焊接温度，别的正负极性要分清；
5、电流电压等电气参数不能超过额外参数值；
焊接大功率UV LED时需要留意：
1、焊接时刻不能超过3S；
2、焊接温度要≤260度；
3、回流焊接只允许焊1次；
4、焊接时，分清正负极性，留意避开透镜，以防损坏透镜
5、 做好散热办法，特别是大功率深紫外LED灯珠尽量保证满足散热器面积
6、为使紫外发光二极管寿数更长，主张使用较安稳的恒流驱动电流或IC，而不要选用恒压驱动电源或IC.
在做LED紫外线灯操作的时分，双眼不可直视紫外线,做好双眼和肌肤的防护。
未来UVC 深紫外LED灯珠市场被划分为两部分，一部分是面向通用照明的可见光LED，而另一类则是以高科技为特色的深紫外LED。而深紫外LED市场目前还是一片蓝海，其广阔的市场前景，成为继半导体照明LED之后，全球LED研究与投资的新热点。
半导体产业技术研究院的研究人员从材料和器件结构等多方面对紫外LED开展了较系统深入的技术研发。在此前AlGaN基紫外光电材料及器件取得的系列进展基础上，近日研究人员设计了多种新型载流子收集层结构，并引入深紫外LED器件中，结果表明具有Al组分渐变的AlGaN载流子收集层能有效地改善深紫外LED的空穴注入水平和辐射复合速率，显著增强280纳米深紫外LED器件的内量i子效率，其出光功率相比传统结构的深紫外LED提高了73.3%。
在材料的选用上，UVC LED封装与一般LED有所不同。首先，选用石英玻璃是由于石英属于无机物，不会受紫外线的影响，且石英玻璃对于UVC波段的透过率高。其次，在散热基板方面，由于UVC LED光电转换效率低，大部分转换成热量，所以一般采用导热率高的氮化铝散热基板。此外，UVC对胶水具有坏作用，因此，粘结玻璃和支架的胶水在耐紫外性能上的要求亦比一般LED封装高。
另值得注意的是，有部分厂商采用氧化铝散热基板。氮化铝和氧化铝基板都属于陶瓷基板，两者主要区别在于：氮化铝的导热率比氧化铝高很多。其中，氮化铝导热率一般约为140W/mK-170W/mK，而氧化铝导热率仅30W/mK左右。
氧化铝陶瓷一般呈现白色，导热率低，通常用于低功率产品。然而，氧化铝陶瓷脆性较大，相较于氮化铝更容易碎裂，因此在划片切割过程中容易出现崩角现象。氮化铝陶瓷一般呈现灰黑色，具有高导热率，通常用于大功率产品。另外，市面上也存在掺杂碳粉的氧化铝陶瓷，同样呈现灰黑色，但导热率更低。