在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
什么是靶材绑定？靶材绑定的适用范围、流程？
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式：压接、钎焊和导电胶。
1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；
2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。
绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材：
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；
锡、铟等软金属靶；
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端：
1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；
2.贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。