微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻版材质主要是两种，一个是石英材质一个是苏打材质，石英材料的透光率会比苏打的透光率要高。
光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的中心材料。按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。
欢迎来电咨询半导体研究所哟~
微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关。
根据曝光方式的不同，光刻机主要分为接触式，接近式以及投影式三种。接触式光刻机，曝光时，光刻版压在涂有光刻胶的衬底上，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷，降低光刻版使用寿命，成品率低。接近式光刻机，光刻版与光刻胶有一个很小的缝隙，因为光刻版与衬底没有接触，缺陷大大减少，优点是避免晶圆片与光刻版直接接触，缺陷少，缺点是分辨率低，存在衍射效应。投影式曝光，一般光学系统将掩模版上的图像缩小4x或5x倍，聚焦并与硅片上已有的图形对准后曝光，每次曝光一小部分，曝完一个图形后，硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光，这种曝光方式分辨率比较高，但不产生缺陷。
欢迎来电咨询半导体研究所哟~器件光刻制作制作
微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，产生边缘效应，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。
常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被曝光的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被曝光的部分会被显影剂清除。正性光刻胶主要应用于腐蚀和刻蚀工艺，而负胶工艺主要应用于剥离工艺（lift-off）。
欢迎来电咨询半导体研究所哟~
微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
专注微纳光学，积极拓展产品应用。公司深耕微纳光学领域，从微纳光学关键制造 设备起步，通过自主研发，外部并购等途径，建立了覆盖微纳光学主要应用领域的 研发、制造体系。在底层技术的支撑下，相继开发出了多系列的光刻 机、压印设备，构建完备的维纳光学设备集群，陆续推出公共安全材料、新型 印刷材料、导光材料、中大尺寸电容触控模组和特种装饰膜等产品，同时正在研发 适用于 AR 显示的光波导镜片等新一代产品。
微纳光学设计与制造，三大事业群齐头并进。公司拥有丰富的微纳光学设计经验， 以及光刻和纳米压印设备自主设计制造能力，以此支撑公共安全和新型印材、反光 材料和消费电子新材料三大产品事业群。未来公司还将持续加大 AR 眼镜光波导镜 片、全息光场 3D 显示、微透屏下指纹等项目的研发投入，深入挖掘微纳光学智能 制造等应用领域，持续推进研发技术成果转化为市场竞争力。
欢迎来电咨询半导体研究所哟~