2分钟前 龙泉铝材5052曝光显影加工工厂服务至上 利成感光[利成感光38dbdb8]内容：显影液去除并且清洗（rinse）：达到显影时间后，使用DIW立即冲洗晶圆表面。去离子水不仅可以使显影过程终止，而且会把显影后缺陷颗粒冲洗掉。在冲洗过程中，晶圆显影工艺是指用显影液去除晶圆上部分光刻胶，形成三维的物理图形
旋转产生的离心力也对去除表面颗粒有很大的帮助。甩干（spin dry）：为了将表面的去离子水甩干，将硅片转到高转速曝光显影是一种工程加工技术，用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件，以及印刷和摄影等领域。曝光显影使用特定的光刻胶和掩膜，在曝光和显影两个步骤中将所需的图案或形状转移到底材表面。尽管对193i负胶的研发已经倾注了很大的努力，但是其性能仍然与正胶有比较大的差距，所以提出负显影（Negative Tone Develop，NTD）。用负显影工艺可以实现较窄的沟槽，负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1]。
显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，在此过程中，光刻胶会在掩膜中没有被曝光的部分（即需要去除的图案区域）中被消蚀，并暴露出硅片表面。曝光一般在曝光机内进行，目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷，曝光质量取决于除干膜致抗蚀剂、光源选择、曝光时间、菲林胶片质量等因素。尽管对193i负胶的研发已经倾注了很大的努力，但是其性能仍然与正胶有比较大的差距，所以提出负显影（Negative Tone Develop，NTD）。
将显影液涂覆在曝光后的晶圆表面上，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域溶于显影液中，进一步将反应聚合物和显影液残留冲洗后，就可以显现出光刻胶中的图形，曝光一般在曝光机内进行，曝光不足，导致单体聚合不，那么在显影过程中，会使的胶膜变软，线条不清晰，色泽暗淡，脱胶。曝光过度，会造成难显影，留有残胶。同时曝光影响图案的线宽，过量曝光会使图形线条变细，蚀刻产品线条变粗。为了让显影液与光刻胶进行充分反应
